高导热氮化铝陶瓷基板

首页 产品中心 高导热氮化铝陶瓷基板

高导热氮化铝陶瓷基板

  • 导热 170+ W/mK
  • 与硅片热膨胀匹配
  • 高绝缘

适用行业:IGBT功率模块、激光器封装、高频器件、新能源汽车电控

技术参数

导热系数 ≥170 W/(m·K)
密度 ≥3.30 g/cm³
抗弯强度 ≥400 MPa
体积电阻率 ≥10¹⁴ Ω·cm
热膨胀系数 4.5×10⁻⁶/K (20-400℃)
使用温度 ≤1000 ℃(惰性气氛)

产品介绍

氮化铝(AlN)陶瓷基板导热系数是氧化铝的 7 倍以上,热膨胀系数与硅接近,是大功率器件理想的散热封装基板。采用流延成型与无压烧结工艺,平整度高、介电性能优良。

支持镀膜(镀镍/镀银/化学镍金)与激光划片等后道加工。

相关产品

RELATED